正電子深能級瞬態譜在GaAs缺陷研究中的應用

正電子深能級瞬態譜在GaAs缺陷研究中的應用

本文介紹的正電子深能級瞬態譜(PDLTS)技術是結合了對固體缺陷有很高靈敏度的正電子湮沒譜(PAS)和一些深能級瞬態譜(DLTS)技術而成新的實驗方法.該技術能用來研究Ⅲ～Ⅴ,Ⅱ～Ⅵ族等半導體材料的缺陷特征,它的優點不僅能研究半導體材料中缺陷的電學特征而且還能夠同時揭示這些電活性缺陷的微觀結構信息.本文將介紹砷化鎵中EL2缺陷能級的PDLTS研究,運用該技術并結合深能級Arrhenius分析,得到EL2能級值為0.82±0.02 eV.

作 者： 張英杰 鄧愛紅 幸浩洋 龍娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 ZHANG Ying-Jie DENG Ai-Hong XING Hao-Yang LONG Juan-Juan YU Jing YU Xing-Xiang GHENG Xiang   作者單位： 四川大學物理學院應用物理系,成都,610065  刊 名： 四川大學學報（自然科學版）  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2008 45(3)  分類號： O571.23 O472  關鍵詞： 正電子   半導體   深能級瞬態譜(DLTS)   正電子深能級瞬態譜(PDLTS)  

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