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生長溫度對納米氧化鋅場發射性能的影響
采用鋅粉和銀粉為蒸發源,用熱蒸發法不同溫度下制備了四針狀納米氧化鋅,并以單獨的鋅粉做對照.采用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察其形貌,X射線衍射(XRD)譜表征其晶體結構.采用絲網印刷方法將其制備為場致電子發射陰極,將陰極與印刷有熒光粉的陽極板組裝成二極結構場致發射顯示屏,并進行了場致電子發射特性對比實驗.結果表明較高溫度制備的氧化鋅具有較好的場致發射性能;摻雜銀粉的蒸發源制備的樣品的發射性能明顯優于沒有摻雜銀粉的樣品.實驗證明ZnO是一種優良的場致發射冷陰極材料,在真空電子方面具有廣闊的應用前景.
作 者： 楊夏喜 張曉兵 楊揚 雷威 李晶 屈科 張鵬 李馳 丁美斌 YANG Xia-xi ZHANG Xiao-bing YANG Yang LEI Wei LI Jing QU Ke ZHANG Peng LI Chi DING Mei-bin 作者單位： 楊夏喜,張曉兵,楊揚,雷威,李晶,屈科,張鵬,李馳,YANG Xia-xi,ZHANG Xiao-bing,YANG Yang,LEI Wei,LI Jing,QU Ke,ZHANG Peng,LI Chi(東南大學,電子科學與工程學院,江蘇,南京,210096)丁美斌,DING Mei-bin(合肥工業大學,理學院,安徽,合肥,230009)
刊 名： 發光學報 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE 年，卷(期)： 2008 29(3) 分類號： O462.4 O484.4 關鍵詞： 氧化鋅 場致電子發射 平板顯示 納米材料【生長溫度對納米氧化鋅場發射性能的影響】相關文章：
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