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價層軌道平均能與摻雜二硼化鎂體系臨界電流密度的關系
本文研究了摻雜二硼化鎂超導體系的原子價層軌道平均能IEMI與臨界電流密度Jc之間的關系,發現它們之間有較好的規律性.全部陽離子和陰離子的價層軌道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之間,陽離子與陰離子價層軌道平均能的平均值之差IDEI幾乎都集中在3.59eV至4.98eV之間.對于理解晶格上電子的靜電作用與超導機理的聯系是很有幫助的.
作 者： 楊國峰 孫愛民 張秀娥 王順青 張濤 黃國海 朱海濱 YANG Guo-feng SUN Ai-min ZHANG Xiu-e WANG Shun-qing ZHANG Tao HUANG Guo-hai ZHU Hai-bin 作者單位： 西北師范大學物理與電子工程學院,蘭州,730070 刊 名： 低溫物理學報 ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS 年，卷(期)： 2008 30(3) 分類號： O51 關鍵詞： 價層軌道平均能 摻雜二硼化鎂 臨界電流密度【價層軌道平均能與摻雜二硼化鎂體系臨界電流密度的關系】相關文章：
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