碳納米帶的催化生長及其機理的研究

碳納米帶的催化生長及其機理的研究

采用熱化學氣相沉積法(thermal chemical vapor deposition,TCVD)在經過高溫氨氣處理后的硅基鐵納米薄膜表面實現片狀碳納米帶的催化生長.通過場發射掃描電子顯微鏡(field emission scanning electron microscopy,FESEM)的觀察可知,生成的碳材料是一種準二維材料,表面具有垂直于其長度方向的紋理,厚(z方向)約幾十納米,寬(Y方向)幾百納米,類似于一種"搓板"狀的結構.而其寬度沿著其長度方向則有較大的變化,時寬時窄,沒有固定的規律.這種帶狀碳納米纖維材料的邊緣光滑,比中間略寬,類似于一種鑲邊結構.通過高分辨透射電子顯微鏡(high resolution transmission electron microscopy,HRTEM)的觀察可知,碳納米帶的碳層沿著垂直于碳納米帶長度的(002)方向有統一的排列,其邊緣都彎曲折疊成封閉結構.有序排列的碳層被層錯和斷點分割成許多微區.在對催化劑研究的基礎上,本文認為片狀碳納米帶的生長是通過碳原子在片層狀催化劑顆粒中的擴散、析出來實現的.碳層從催化劑片層側面中一層一層地析出,形成帶狀外觀.

作 者： 趙勇 俞進 盛廣滬 高躍飛 方利廣 梁曉軍 ZHAO Yong YU Jin SHENG Guang-hu GAO Yue-fei FANG Li-guang LIANG Xiao-jun   作者單位： 南昌大學理學院,南昌,330031  刊 名： 硅酸鹽通報  ISTIC PKU 英文刊名： BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY  年，卷(期)： 2008 27(2)  分類號： O484  關鍵詞： 碳納米帶   催化劑   化學氣相沉積   生長機理  

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