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轟擊離子能量對CNx薄膜中sp3 型C-N鍵含量的影響
對磁控濺射生長在單晶Si(001)襯底上的CNx薄膜樣品的化學鍵合及結構進行了研究. 利用不同的襯底負偏壓(Vb)來控制轟擊襯底表面的入射離子能量, 從而影響膜中的化學鍵合的狀態. 樣品的FTIR, Raman和XPS分析結果表明, CNx薄膜中N原子分別與sp, sp2和sp3雜化狀態的C原子結合, 其中sp3型C-N鍵含量先隨著襯底偏壓(Vb)的升高而增加, 并在偏壓Vb=-50 V時達到最大值, 但隨著Vb繼續升高, sp3型C-N鍵含量減少. 這表明CNx薄膜中, sp3型C-N鍵的含量與轟擊離子的能量變化密切相關.
作 者： 李俊杰 曹培江 鄭偉濤 呂憲義 卞海蛟 金曾孫 作者單位： 李俊杰(吉林大學超硬材料國家重點實驗室,長春,130023;延邊大學理工學院,延吉,133002)曹培江,呂憲義,金曾孫(吉林大學超硬材料國家重點實驗室,長春,130023)
鄭偉濤,卞海蛟(吉林大學材料科學與工程學院,長春,130023)
刊 名： 高等學校化學學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 年，卷(期)： 2003 24(5) 分類號： O484.5 關鍵詞： CNx薄膜 化學鍵合 sp3 C-N鍵【轟擊離子能量對CNx薄膜中sp3 型C-N鍵含量的影響】相關文章：
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