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LiNbO3晶體中引入π位相差實現選擇性擦除
在晶體中進行大容量多重體存儲,需要對晶體中記錄數據進行修改,這就使得選擇性擦除必不可少.介紹了鈮酸鋰晶體中實現選擇性擦除的原理,著重介紹了在物光和參考光中引入π位相差的幾種方法,通過引入π位相差來記錄互補全息圖,利用全息圖及其他的互補全息圖的非相干疊加來消除原全息圖對晶體折射率的調制,從而實現對未定影全息圖的選擇性擦除.實現了在晶體中某一數據頁面內部分數據的擦除,并從理論上對實驗結果進行了分析.并給出了在某一數據頁面內進行部分擦除的實驗結果.
作 者： 周元林 謝敬輝 孫萍 張穎 徐玉恒 徐悟生 作者單位： 周元林,謝敬輝,孫萍,張穎(北京理工大學光電工程系,北京,100081)徐玉恒,徐悟生(哈爾濱工業大學應用化學系,黑龍江,哈爾濱,150001)
刊 名： 中國激光 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LASERS 年，卷(期)： 2003 30(8) 分類號： O438.1 關鍵詞： 信息光學 體全息存儲 選擇性擦除 LiNbO3晶體【LiNbO3晶體中引入π位相差實現選擇性擦除】相關文章：
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