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片光法構造缺陷態(tài)光折變光子晶格
實驗上利用四孔的掩膜和柱透鏡成功的在LN晶體中構造了不同類型的缺陷態(tài)光折變光子晶格,發(fā)現(xiàn)當缺陷的寫入角度與c軸垂直時,寫入的缺陷最好,平行時最差,并描繪了折射率隨時間變化曲線,發(fā)現(xiàn)寫入時間為40分鐘時為最佳寫入時間.推導了四孔掩膜的電磁場分布并在理論上模擬了四孔掩膜和柱透鏡的空間光場分布,驗證了此方法的可行性,這對缺陷態(tài)光子晶格的研究和應用有一定的意義.
作 者： 付存寶 楊立森 何冬梅 張寶光 張?zhí)m根 張印 FU Cun-bao YANG Li-sen HE Dong-mei ZHANG Bao-guang ZHANG Lan-gen ZHANG Yin 作者單位： 內蒙古師范大學,物理與電子信息學院,呼和浩特,010022 刊 名： 信息記錄材料 ISTIC 英文刊名： INFORMATION RECORDING MATERIALS 年，卷(期)： 2009 10(6) 分類號： O434.19 關鍵詞： 片光法 LN晶體 光子晶格 缺陷【片光法構造缺陷態(tài)光折變光子晶格】相關文章：
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