用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

在低溫下采用以低壓Xe氣激發(fā)真空紫外光作光源,以SiH4和O2作為反應(yīng)氣體的直接光CVD技術(shù)在硅襯底上成功地淀積出SiO2薄膜.用紅外光譜分析發(fā)現(xiàn),薄膜中未出現(xiàn)與Si-H、Si-OH相應(yīng)的紅外吸收峰,Si-O伸縮振動(dòng)所對(duì)應(yīng)的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之間;通過(guò)高頻C-V特性曲線(xiàn)計(jì)算出SiO2-Si系統(tǒng)中固定氧化物電荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范圍內(nèi);XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能級(jí)結(jié)合能為103.6 eV,界面處亞氧化硅的總含量為每平方厘米3.72×1015個(gè)原子.

作 者： 劉玉榮 李觀(guān)啟 黃美淺   作者單位： 華南理工大學(xué)應(yīng)用物理系,廣東,廣州,510640  刊 名： 華南理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)  年，卷(期)： 2003 31(7)  分類(lèi)號(hào)： O484.4  關(guān)鍵詞： 光CVD   SiO2薄膜   紅外光譜   XPS   C-V特性  

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