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GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱線中類氫雜質的束縛能和光致電離截面
通過在波函數中考慮量子線的限制方向和非限制方向的相關性,計算了GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱線中類氫雜質的束縛能和光致電離截面.結果表明光致電離截面的大小受量子線尺寸的影響,并且對于相同尺寸的量子線,有限深勢阱中雜質態的光致電離截面要比無限深勢阱中的大.與他人的結果比較發現,所選波函數改進了體系的束縛能,并使光致電離截面減小,這使得結果更為合理.
作 者： 劉建軍 蘇會 關榮華 楊國琛 Liu Jianjun Su Hui Guan Ronghua Yang Guochen 作者單位： 劉建軍,Liu Jianjun(河北師范大學物理學院,石家莊,050016;河北工業大學物理所,天津,300130)蘇會,Su Hui(中國科學院物理研究所,北京,100080)
關榮華,Guan Ronghua(河北工業大學物理所,天津,300130;華北電力大學應用物理系,保定,071003)
楊國琛,Yang Guochen(河北工業大學物理所,天津,300130)
刊 名： 半導體學報 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2003 24(6) 分類號： O741.1 關鍵詞： 光致電離截面 束縛能 類氫雜質 量子阱線 photoionization cross-section binding energy hydrogenic impurity quantum well wire【GaAs/Ga1-xAlxAs量子阱線中類氫雜質的束縛能和光致電離截面】相關文章：
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