高介電HfOxNy薄膜的制備及其光學性能研究

高介電HfOxNy薄膜的制備及其光學性能研究

采用直流反應磁控濺射方法,在硅襯底制備了高介電HfOxNy薄膜.用橢偏儀研究了后期退火處理對薄膜光學性質的影響,結果表明,薄膜的折射率隨退火溫度的升高而增加,這主要是由于高溫退火導致薄膜內部缺陷減少,使得薄膜松散的內部結構變得更加致密;薄膜的消光系數隨退火溫度的升高而降低, 這是由于因為退火后薄膜內的缺陷減少.光學禁帶寬度隨退火溫度的升高而增加,這是由于退火過程中薄膜中N 含量的減少而導致.

作 者： 王瑩 張麗明 楊更須 WANG Ying ZHANG Li-ming YANG Geng-xu   作者單位： 王瑩,張麗明,WANG Ying,ZHANG Li-ming(商丘職業技術學院,河南,商丘,476000)

楊更須,YANG Geng-xu(河南大學,化學化工學院,河南,開封,475001) 

刊 名： 應用化工  ISTIC 英文刊名： APPLIED CHEMICAL INDUSTRY  年，卷(期)： 2009 38(2)  分類號： O484  關鍵詞： HfOxNy薄膜   直流反應磁控濺射   橢偏儀   光學特性  

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