沉積在硅油表面上Au薄膜的電學性能及成膜機理

沉積在硅油表面上Au薄膜的電學性能及成膜機理

采用硅油作基底,沉積出具有網(wǎng)狀特征結(jié)構(gòu)的逾滲Au薄膜,用四引線方法原位測量Au薄膜的電學性能,測得其電阻隨沉積時間以及凝聚時間的變化規(guī)律,較好地解釋了此類薄膜的生長機制.對Au薄膜R-I特性的測量結(jié)果表明:生長在液體基底表面Au薄膜的局域隧道電流和跳躍電導效應比一般薄膜更為強烈,其功率譜指數(shù)w趨于零,該值遠小于普通逾滲薄膜系統(tǒng)的相應值.

作 者： 夏阿根 楊波 金進生 葉全林 陶向明 葉高翔   作者單位： 浙江大學物理系,杭州,310028  刊 名： 真空科學與技術(shù)學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2003 23(4)  分類號： O484.1  關(guān)鍵詞： Au薄膜   網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)   電特性  

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