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基片溫度和退火對CdIn2O4薄膜光學性質和載流子濃度的影響
對射頻反應性濺射Cd-In合金靶制備的透明導電CdIn2O4薄膜,研究了基片溫度及沉積后在氬氣流中退火對薄膜的透射、反射和吸收光譜,光學常數和載流子濃度的影響.結果表明:提高基片溫度減少了薄膜的載流子濃度,退火增加了薄膜的載流子濃度.隨著基片溫度提高,薄膜折射率n和消光系數κ的短波峰將逐漸藍移,而退火使其出現紅移.基片溫度和退火對薄膜光學常數的影響與其對薄膜載流子濃度的影響是一致的.在制備CdIn2O4這樣一種對于沉積方法和沉積條件極為敏感的透明導電薄膜的沉積過程中,這一現象對于實時監控具有極為重要的意義.
作 者： 李斌 曾菱 張鳳山 作者單位： 李斌,張鳳山(中國科學院上海技術物理研究所,上海,200083)曾菱(公安海警高等專科學校,寧波,315821)
刊 名： 光學學報 ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA 年，卷(期)： 2002 22(11) 分類號： O484 關鍵詞： CdIn2O4薄膜 基片溫度 退火 光學性質 載流子濃度【基片溫度和退火對CdIn2O4薄膜光學性質和載流子濃度的影響】相關文章：
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