ZnS摻Mn的電子結構研究

ZnS摻Mn的電子結構研究

用自旋極化的LSD-LMTO(Local-Spin-Density L-near Muffin-Tin-Orbital Method)方法,對ZnS摻入Mn發光中心的電子結構進行了大型超原胞模擬計算.在自洽收斂的條件下,先對純ZnS調節計算參數(原子球、空球占空比),使計算的帶隙Eg=3.23 eV;然后用原子球替代方式自洽計算雜質密度在Eg中的相對位置,模擬計算了在六角結構ZnS中摻入不同濃度的Mn雜質后有關的雜質能級在Eg中的相對位置.計算結果表明:(1)單個缺陷的雜質能級性質與配位場理論結果相符合,直接用雜質態密度來表示;(2)摻入雜質的濃度對雜質能級位置的影響不大,這與實驗結果相一致.

作 者： 沈漢鑫 沈耀文   作者單位： 沈漢鑫(龍巖師范高等專科學校計算機系,福建,龍巖,364000)

沈耀文(廈門大學物理系,福建,廈門,361005) 

刊 名： 高壓物理學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF HIGH PRESSURE PHYSICS  年，卷(期)： 2003 17(1)  分類號： O482.3  關鍵詞： 超原胞   雜質能級   發光中心  

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