不同邊界條件下導電高分子電子結構的研究

時間:2023-05-02 23:53:06 數理化學論文 我要投稿
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不同邊界條件下導電高分子電子結構的研究

用一維復式晶格作為反式聚乙炔的模型,在周期與非周期邊界條件下,考慮鏈端效應并計及電子的非近鄰跳躍,數值計算了格點數分別等于N=10、50、100和200時聚乙炔的能譜和態密度.討論了不同格點數和結構參數對態密度及帶寬的影響,并對兩種邊界條件下的計算結果進行了比較.計算結果表明,當格點數N<50時,兩者相差較大,這表明系統的邊界將起很大作用;當格點數N≥50時,兩者相差甚微,這時可利用周期性邊界條件來研究有限系統問題.

不同邊界條件下導電高分子電子結構的研究

作 者: 呂巋 童國平 楊慧 楊建榮 章林溪 趙得祿   作者單位: 呂巋(上饒師范學院物理系)

童國平(浙江師范大學物理系,金華,321004)

楊慧,楊建榮,章林溪(浙江大學物理系,杭州,310027)

趙得祿(中國科學院化學研究所分子科學中心,北京,100080) 

刊 名: 高分子學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA POLYMERICA SINICA  年,卷(期): 2003 ""(3)  分類號: O63  關鍵詞: 復式晶格   態密度   表面態   鏈端效應  

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