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不同邊界條件下導電高分子電子結構的研究
用一維復式晶格作為反式聚乙炔的模型,在周期與非周期邊界條件下,考慮鏈端效應并計及電子的非近鄰跳躍,數值計算了格點數分別等于N=10、50、100和200時聚乙炔的能譜和態密度.討論了不同格點數和結構參數對態密度及帶寬的影響,并對兩種邊界條件下的計算結果進行了比較.計算結果表明,當格點數N<50時,兩者相差較大,這表明系統的邊界將起很大作用;當格點數N≥50時,兩者相差甚微,這時可利用周期性邊界條件來研究有限系統問題.
童國平(浙江師范大學物理系,金華,321004)
楊慧,楊建榮,章林溪(浙江大學物理系,杭州,310027)
趙得祿(中國科學院化學研究所分子科學中心,北京,100080)
刊 名: 高分子學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA POLYMERICA SINICA 年,卷(期): 2003 ""(3) 分類號: O63 關鍵詞: 復式晶格 態密度 表面態 鏈端效應【不同邊界條件下導電高分子電子結構的研究】相關文章:
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