納米GaN固體的制備與表征

時間:2023-05-02 23:48:16 數理化學論文 我要投稿
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納米GaN固體的制備與表征

本研究工作以氯化氨作礦化劑,在350~450℃、15~50MPa的條件下,用氨基鈉作為氮的前體,和金屬鎵反應合成了氮化鎵晶體.用X射線衍射、透射電子顯微鏡、激光拉曼光譜、紅外光譜等方法對產物進行表征,結果顯示得到的晶體為六方纖鋅礦結構,平均粒徑為16nm,晶格參數a=0.3215nm,c=0.5223nm.晶體的完整性好、產率高,并探討了可能的反應機理.

作 者: 鄭偉威 郭范 萬松明 劉新征 尹屹梅   作者單位: 中國科學技術大學化學系,合肥,230026  刊 名: 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年,卷(期): 2003 32(3)  分類號: O782  關鍵詞: GaN   納米固體   透射電子顯微鏡   激光拉曼光譜  

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