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硅基氮化鋁薄膜的AFM和XPS分析
在Si(111)基底上利用直流磁控濺射系統(tǒng)沉積氮化鋁(AlN)薄膜,X-射線衍射分析薄膜結構和取向,原子力顯微鏡分析薄膜表面形貌,X-射線光電子能譜分析薄膜的元素化學價態(tài)和組分.結果表明,生長的AlN薄膜具有良好的(100)擇優(yōu)取向,其半峰寬為0.3°.薄膜表面粗糙度為0.23 nm,表面均方根粗糙度為0.30 nm,z軸方向最高突起約3.25 nm.薄膜表面組分為Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剝蝕分析表明獲得的AlN薄膜接近其化學計量比.
作 者： 劉文 王質武 楊清斗 衛(wèi)靜婷 LIU Wen WANG Zhi-wu YANG Qing-dou WEI Jing-ting 作者單位： 深圳大學,光電子學研究所,廣東省光電子器件與系統(tǒng)重點實驗室,光電子器件與系統(tǒng)教育部重點實驗室,廣東,深圳,518060 刊 名： 壓電與聲光 ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 2007 29(6) 分類號： O484 關鍵詞： 氮化鋁 直流磁控濺射 原子力顯微鏡 X-射線光電子能譜 化學計量比【硅基氮化鋁薄膜的AFM和XPS分析】相關文章：
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