摻銅ZnS納米材料的制備及光學性質

摻銅ZnS納米材料的制備及光學性質

介紹了在聚乙烯醇襯底中利用離子絡合法制備未摻雜和摻銅的 ZnS納米微粒.TEM圖表明ZnS納米微粒較均勻地分布在PVA襯底上,粒徑在1～10nm,且具有類似體材料的立方結構.與未摻雜ZnS相比,摻銅ZnS的紫外-可見吸收光譜沒有明顯的變化;但PL光譜的發射峰卻從450nm移到了480nm左右,這可能是由于ZnS的導帶和ZnS禁帶中銅的能級T2之間的躍遷造成的.

作 者： 王靈玲 桑文斌 閔嘉華 劉引烽 陳宗高 樊建榮   作者單位： 上海大學嘉定校區材料科學與工程學院,上海,201800  刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(5)  分類號： O482.31  關鍵詞： 納米微粒   摻銅ZnS   透射電鏡   光致發光  

【摻銅ZnS納米材料的制備及光學性質】相關文章：

納米銅的制備方法04-28

ZnS-AgInS-2復合納米材料的制備及其修飾04-30

Mn2+,Pb2+共摻雜ZnS納米材料制備及光致發光04-28

銅納米線的制備及其光限幅特性研究04-26

高嶺石基摻N納米TiO2的制備及對農藥的降解研究04-26

CdS/TiO2復合納米粒子的光學性質04-29

溶劑熱法制備納米氧化鋅及其光學性能研究04-29

冬凌草甲素聚乳酸納米粒的制備和體外性質研究04-28

納米Cu2S花的制備及其光催化性質04-27

催化劑對納米聚團床法制備的納米碳材料形貌的影響04-29