電沉積條件對ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響

電沉積條件對ITO/TiO2/CdS薄膜光電性能的影響

采用電沉積方法,以ITO/TiO2薄膜為基底,在水體系中成功制備出ITO/TiO2/CdS復合半導體薄膜,通過光電流作用譜考查了該薄膜電極的光電性能.實驗表明,電鍍液的組成、實驗溫度可影響薄膜中CdS納米粒子的生長,從而使不同條件獲得的復合薄膜電極的光電轉換效率不同,實驗溫度為40℃、電鍍液的組成為CCd2+=0.02 mol·L-1,CS2O23-=0.10 mol·L-1,pH=2.0條件下沉積所得的ITO/TiO2/CdS薄膜電極,在400nm～500nm波長范圍內具有較強的光吸收,也有較高的光電轉換效率.

作 者： 池玉娟 付宏剛 張恒彬 潘凱 齊樂輝 Chi Yu-juan Fu Hong-gang Zhang Heng-bin Pan Kai Qi Le-hui   作者單位： 池玉娟,付宏剛,Chi Yu-juan,Fu Hong-gang(哈爾濱工業大學,應用化學系,哈爾濱,150001)

張恒彬,潘凱,齊樂輝,Zhang Heng-bin,Pan Kai,Qi Le-hui(黑龍江大學,化學化工與材料學院,哈爾濱,150080) 

刊 名： 黑龍江大學自然科學學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF NATURAL SCIENCE OF HEILONGJIANG UNIVERSITY  年，卷(期)： 2007 24(6)  分類號： O644  關鍵詞： 電沉積   硫化鎘   復合薄膜   光電性能  

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