Nam Si7-m(m≤6)團簇的結構和電子性質的密度泛函理論研究

Nam Si7-m(m≤6)團簇的結構和電子性質的密度泛函理論研究

采用密度泛函理論(DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上,對NamSi7-m(m≤6)團簇的最低能量結構和電子性質進行了研究.結果表明:m≤4時,團簇的穩定結構傾向于Na原子附著在帶負電的Si7-m結構的不同位置上,Na原子成分較多時(m≥4)混合團簇的穩定幾何結構發生較大的變化,且團簇中Nam的結構與單一的Nam團簇的穩定結構不同;自然電荷布居分析表明,電荷從Na原子轉移到Si原子;隨著Na原子成分的增加,團簇越來越容易失去電子,且團簇的穩定性也隨之減弱;隨著m的增加能隙出現振蕩,其中NasSi2的能隙最小,化學活性最強,Na2Si5的能隙最大,化學活性最弱.

作 者： 劉霞 趙高峰 郭令舉 王獻偉 葛桂賢 閆玉麗 羅有華 LIU Xia ZHAO Gao-feng GUO Ling-ju WANG Xian-wei GE Gui-xian YAN Yu-li LUO You-hua   作者單位： 劉霞,趙高峰,郭令舉,王獻偉,葛桂賢,閆玉麗,LIU Xia,ZHAO Gao-feng,GUO Ling-ju,WANG Xian-wei,GE Gui-xian,YAN Yu-li(河南大學物理與電子學院,開封,475004)

羅有華,LUO You-hua(河南大學物理與電子學院,開封,475004;華東理工大學理學院,上海,200237) 

刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(6)  分類號： O641  關鍵詞： NamSi7-m(m≤6)團簇   密度泛函理論   結構與性質  

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