過渡層對Ge襯底GaAs外延層晶體質量的影響

過渡層對Ge襯底GaAs外延層晶體質量的影響

利用低壓金屬有機化學汽相淀積(MOCVD)設備在Ge襯底上生長GaAs外延層.通過改變GaAs過渡層的生長溫度對GaAs外延層進行了表征,利用掃描電鏡(SEM)和X射線衍射儀研究了表面形貌和晶體質量,優化出滿足高效太陽能電池要求的高質量GaAs單晶層生長條件.

作 者： 李曉婷 賽小鋒 汪韜 曹希斌 石剛 LI Xiaoting SAI Xiaofeng WANG Tao CAO Xibing SHI Gang   作者單位： 李曉婷,LI Xiaoting(長安大學理學院,西安710061;中國科學院西安光學精密機械研究所,西安710068)

賽小鋒,汪韜,曹希斌,SAI Xiaofeng,WANG Tao,CAO Xibing(中國科學院西安光學精密機械研究所,西安710068)

石剛,SHI Gang(長安大學理學院,西安710061) 

刊 名： 激光與光電子學進展  ISTIC PKU 英文刊名： LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS  年，卷(期)： 2007 44(6)  分類號： O484.1  關鍵詞： GaAs/Ge   過渡層   生長溫度   晶體質量  

【過渡層對Ge襯底GaAs外延層晶體質量的影響】相關文章：

透層的質量控制04-27

壓電層對含集中質量的Beck桿穩定性的影響04-26

GaAs高溫退火過程中熱應力對晶體缺陷的影響04-28

克拉2氣田砂巖儲層中成巖方解石-白云石的平衡及其對儲層質量的影響04-29

平流層極地臭氧損耗影響對流層氣候的研究進展04-29

抗疲勞層疲勞性能影響因素分析04-28

壓實作用對砂巖儲層物性的影響04-27

千層花04-26

廣東南雄盆地的南雄層和丹霞層04-27

含鋪層拼接層合板的力學性能04-26