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聚酰亞胺LB膜真空熱解制備β-SiC膜的STM觀察
掃描隧道顯微鏡(STM)是一種基于量子隧道效應對樣品進行高分辨無損測試的表面測試技術[1], 它可以在原子水平上反映表面分子或原子的排列分布情況, 在物理、化學、生物和微電子界受到高度的重視. STM技術以及其后發展起來的原子力顯微鏡(AFM)特別適合LB膜的研究, 能直觀地反映出LB膜中分子排列的微觀結構以及表面缺陷[2,3]. 我們曾通過真空熱解沉積在單晶硅片上的聚酰亞胺LB膜制得了準單晶β-SiC超薄膜[4A～6]. 本文利用STM技術對聚酰亞胺LB膜以及由它真空熱解而成的SiC膜的表面形態結構進行了初步觀察和分析.
作 者： 金邦坤 叢樹昕 何平笙 作者單位： 中國科學技術大學高分子科學與工程系,合肥,230026 刊 名： 高等學校化學學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 年，卷(期)： 2002 23(9) 分類號： O484.1 關鍵詞： 聚酰亞胺 Langmuir-Blodgett(LB)膜 SiC膜 掃描遂道顯微鏡【聚酰亞胺LB膜真空熱解制備β-SiC膜的STM觀察】相關文章：
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