離子注入GaN的拉曼散射研究

時間:2023-04-30 06:42:24 數理化學論文 我要投稿
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離子注入GaN的拉曼散射研究

研究了離子注入前后GaN的拉曼散射光譜,特別是其中幾個在各種離子注入后都存在的拉曼散射峰,如298,362和661cm-1峰的性質,峰值強度隨注入元素原子量、注入劑量和退火溫度的變化關系.上述三個拉曼散射峰的強度都隨注入元素原子量的增加而降低.當注入劑量增大時,362和661cm-1峰值強度減少,而298cm-1峰值強度卻增大.隨退火溫度的升高,這三個拉曼散射峰的強度先增加后降低.對所觀察到的實驗現象和這三個峰的起源進行了分析和討論.

離子注入GaN的拉曼散射研究

作 者: 張紀才 戴倫 秦國剛 應麗貞 趙新生   作者單位: 張紀才(山東曲阜師范大學物理系)

戴倫(北京大學人工微結構與介觀物理國家重點實驗室)

秦國剛(北京大學物理學院,北京,100871)

應麗貞,趙新生(北京大學分子動態與穩態結構國家重點實驗室,化學與分子工程學院物理化學研究所,北京,100871) 

刊 名: 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名: ACTA PHYSICA SINICA  年,卷(期): 2002 51(3)  分類號: O4  關鍵詞: GaN   離子注入   拉曼散射   局域振動  

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