應用于超大規模集成電路工藝的高密度等離子體源研究進展

應用于超大規模集成電路工藝的高密度等離子體源研究進展

本文簡要地介紹了等離子體的產生方式以及傳統的射頻電容耦合等離子體源.對電子回旋共振等離子體(ECR),感應耦合等離子體(ICP),螺旋波等離子體(HWP)等幾種新型的高密度等離子體源[1]的工作原理及結構重點作了分析討論,并從運行參數上對其進行了比較.最后對高密度等離子體工藝加工中的等離子體約束以及器件損傷問題的最新研究進展進行了介紹.

作 者： 王平 楊銀堂 徐新艷 楊桂杰   作者單位： 西安電子科技大學微電子所,西安,710071  刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(4)  分類號： O531  關鍵詞： 高密度等離子體源   電子回旋共振   感應耦合等離子體   螺旋波等離子體   器件損傷  

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