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退火過程中自組織生長Ge量子點的變化?
在超高真空系統中,用掃描隧道顯微鏡(STM)和原子力顯微鏡(AFM)研究了自組織生長的Ge量子點經不同溫度退火后的變化.實驗發現,當退火溫度為630℃時,出現了許多新的量子點.與原來的在分子束外延過程中形成的無失配位錯的量子點相比,新形成的量子點被認為是存在位錯的島.
作 者： 胡冬枝 楊建樹 蔡群 張翔九 胡際璜 蔣最敏 Hu Dongzhi Yang Jianshu Cai Qun Zhang Xiangjiu Hu Jihuang Jiang Zuimin 作者單位： 復旦大學應用表面物理國家重點實驗室,上海,200433 刊 名： 半導體學報 ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 年，卷(期)： 2002 23(6) 分類號： O485 關鍵詞： 量子點 硅基材料 形貌評價 AFM quantum dots Si-based materials evolution of morphology atomic force microscopy【退火過程中自組織生長Ge量子點的變化?】相關文章：
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