優(yōu)良全息光折變存儲材料-雙摻鈮酸鋰晶體

時間:2023-04-29 21:03:46 數(shù)理化學論文 我要投稿
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優(yōu)良全息光折變存儲材料-雙摻鈮酸鋰晶體

我們生長與后處理了一系列雙摻鈮酸鋰晶體,通過光折變存儲性能的測試,在這些晶體中,我們發(fā)現(xiàn)了三種雙摻晶體:LN:Fe,Mg;LN∶Fe,In;LN∶Fe,Zn,它們具有優(yōu)良的光折變存儲性能,即高衍射效率(高達60~80%)、快光折變響應(比LN∶Fe 晶體縮短了一個數(shù)量級)、和強抗光散射能力(比LN∶Fe提高近兩個數(shù)量級).我們還系統(tǒng)地研究了光強閾值效應與全息寫入的關系以及全息寫入與入射光強的關系,發(fā)現(xiàn)在光強閾值附近耦合強度有一最大值,從而提出了最佳寫入光強的概念.另外,全息光柵熱固定研究還顯示,雙摻鈮酸鋰晶體比單摻Fe的鈮酸鋰晶體具有更優(yōu)良的熱固定性質(zhì):快固定時間、高固定效率、長固定壽命等.

作 者: 孔勇發(fā) 許京軍 李冠告 黃自恒 陳紹林 李兵 陳云琳 張玲 劉士國 閻文博 劉宏德 王巖 孫騫 張心正 張國權 黃暉 張萬林 張光寅   作者單位: 孔勇發(fā),許京軍,李冠告,黃自恒,陳紹林,李兵,陳云琳,張玲,劉士國,閻文博,劉宏德,王巖(南開大學光電材料研發(fā)中心,天津,300071)

孫騫,張心正,張國權,黃暉,張萬林,張光寅(南開大學光子學中心,天津,300071) 

刊 名: 人工晶體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS  年,卷(期): 2002 31(3)  分類號: O734  關鍵詞: 鈮酸鋰   光折變   光存儲  

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