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基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光譜測量
使用紫外-可見光分光光度計,研究用金屬有機物氣相外延(MOVPE)方法生成在藍寶石襯底上的GaN薄膜的反射光譜、透射光譜以及用分子束外延(MBE)方法生成在碳化硅襯底上GaN薄膜的反射光譜,結果表明,所測的GaN薄膜和體材料的光學吸收邊出現在364 nm附近, 對應的禁帶寬度為3.41 eV.在兩種不同襯底上,薄膜的反射譜由于材料晶格常數和熱膨脹系數的不同有所差別.
作 者： 齊學義 李晨晨 楊國來 蔡麗霞 QI Xue-yi LI Chen-chen YANG Guo-lai CAI Li-xia 作者單位： 齊學義,李晨晨,楊國來,QI Xue-yi,LI Chen-chen,YANG Guo-lai(蘭州理工大學,流體動力與控制學院,甘肅,蘭州,730050)蔡麗霞,CAI Li-xia(蘭州理工大學,機電工程學院,甘肅,蘭州,730050)
刊 名： 蘭州理工大學學報 ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2007 33(5) 分類號： O433.1 O484.5 關鍵詞： 氮化鎵薄膜 反射光譜 透射光譜【基于MOVPE和MBE法生成的GaN薄膜的反射、透射光譜測量】相關文章：
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