α-Fe2O3摻雜對In2O3電導和氣敏性能的影響

α-Fe2O3摻雜對In2O3電導和氣敏性能的影響

用化學共沉淀法制備了α-Fe2O3摻雜的In2O3納米晶微粉,研究了α-Fe2O3摻雜對In2O3電導和氣敏性能的影響.結果表明,α-Fe2O3和In2O3間可形成有限固溶體In2-xFexO3(0≤x≤0.40);Fe3+對In2O3晶格中In3+格位的部分取代,大大增強了陰陽離子間的結合力,導致材料中氧空位Vo×數驟降、自由電子的濃度變稀和電導下降.n(Fe3+):n(In3+)=5:5的共沉淀粉于800℃下灼燒4 h所得的α-Fe2O3摻雜In2O3傳感器元件,對45 μmol@L-1C2H5OH的靈敏度達54.0,為相同濃度干擾氣體汽油的8倍多.

作 者： 葛秀濤 劉杏芹   作者單位： 葛秀濤(滁州師范專科學校化學系)

劉杏芹(中國科學技術大學材料科學與工程系) 

刊 名： 物理化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 2001 17(10)  分類號： O64  關鍵詞： 共沉淀   In2-xFexO3   電導   C2H5OH   氣敏性  

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