8-羥基喹啉鋁光電性質的Ab initio和DFT研究

8-羥基喹啉鋁光電性質的Ab initio和DFT研究

利用ab initio HF 和密度泛函理論B3LYP等方法, 對金屬有機配合物8-羥基喹啉鋁(AlQ3)進行幾何結構優化, 探索分子內部電子躍遷的機理. 結果表明, 電子從基態躍遷到低激發態時主要為π-π躍遷;電荷從含氧的苯酚環轉移至含氮的吡啶環上, 包括兩環之間C→C轉移和O→N轉移, 與金屬離子關系不大. 考慮到配體對發光性質的貢獻, 進一步設計了3種AlQ3的衍生物.

作 者： 蘇忠民 程紅 高洪澤 孫世玲 初蓓 王榮順 王悅 SU Zhong-Min CHENG Hong GAO Hong-Ze SUN Shi-Ling CHU Bei WANG Rong-Shun WANG Yue   作者單位： 蘇忠民,SU Zhong-Min(東北師范大學化學學院,功能材料化學研究所,長春,130024;吉林大學理論化學研究所,超分子結構與譜學教育部開放實驗室,長春,130023)

程紅,高洪澤,孫世玲,初蓓,王榮順,CHENG Hong,GAO Hong-Ze,SUN Shi-Ling,CHU Bei,WANG Rong-Shun(東北師范大學化學學院,功能材料化學研究所,長春,130024)

王悅,WANG Yue(吉林大學理論化學研究所,超分子結構與譜學教育部開放實驗室,長春,130023) 

刊 名： 高等學校化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES  年，卷(期)： 2000 21(9)  分類號： O641  關鍵詞： 8-羥基喹啉鋁(AlQ3)   ab initio   DFT   電子躍遷機理  

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