ZnO:V薄膜后退火處理前后的微結構與發光特性

ZnO:V薄膜后退火處理前后的微結構與發光特性

利用溶膠-凝膠(Sol-gel)法在單晶硅(100)襯底上分別制備了ZnO:V薄膜和純ZnO薄膜.為進一步研究后退火對ZnO:V薄膜結構和發光性質的影響,在兩段式快速退火后又在800 ℃下進行了后退火處理.X 射線衍射的結果表明:后退火處理前,釩(V)的摻入使ZnO結晶質量變差,而800 ℃退火處理后,從ZnO的衍射峰中可以看出,相對于無V雜樣品其結晶質量變好.掃描電子顯微鏡形貌圖中可以看出制備的樣品薄膜顆粒大小均勻,薄膜致密度較高.光致發光(PL)譜的研究表明:ZnO:V薄膜在800 ℃退火處理后,紫外和綠帶發光峰均增強,但紫外發光峰增強得更多;與同樣條件下制備的純ZnO薄膜的PL譜比較,發現V摻雜后樣品的紫外激子復合發光峰的強度明顯增強且峰位發生藍移,而缺陷引起的綠帶發光峰的強度降低.

作 者： 張麗亭 魏凌 張楊 張偉風 ZHANG Li-ting WEI Ling ZHANG Yang ZHANG Wei-feng   作者單位： 河南大學,物理與電子學院,河南,開封,475004  刊 名： 發光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O472.3 O482.31  關鍵詞： ZnO   釩摻雜   光致發光   溶膠-凝膠法   薄膜  

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