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靜電場對硫酸鈣結晶的影響及計算機模擬
實驗在水浴加熱和水浴加熱附加靜電場兩種條件下,對基本相同的結晶條件(溫升速率,過飽和度,水動力學等)下得到硫酸鈣晶體利用掃描電鏡(SEM)進行了表征和分析.分析結果顯示:在基本相同結晶條件下,水浴加熱附加靜電場與僅水浴加熱下生成的硫酸鈣晶體的形貌相比,有所增大.我們從水的內能與結晶形貌的關系出發,利用蒙特卡羅(MC)方法對靜電場作用下的結晶情況進行了初步的分子模擬,解釋了這一特殊現象.該分析結果可用于指導水溶液中生長晶體,外加一定強度的靜電場可能得到更大更完整的晶體.
作 者： 王照倫 楊曉慶 WANG Zhao-lun YANG Xiao-qing 作者單位： 四川大學電子信息學院,成都,610064 刊 名： 四川大學學報（自然科學版） ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF SICHUAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 2007 44(5) 分類號： O74 TP3 關鍵詞： 靜電場 硫酸鈣晶體 形貌 蒙特卡羅方法【靜電場對硫酸鈣結晶的影響及計算機模擬】相關文章：
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