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電源對介質阻擋放電(DBD)激發準分子(XeCl*)輻射的影響
本文對電源參數如電壓幅值、頻率及正負電壓對介質阻擋放電激發準分子XeCl*紫外(308nm)輻射的影響進行了實驗研究.結果表明,UV輻射隨電壓幅度的增加而增強,但效率下降;提高頻率,增加了放電次數,導致UV輻射的增強;此外,在較高的頻率下,電壓上升沿變陡,使得電子獲得的能量主要用于原子的激發和電離.正、負電壓放電的不對稱源于電極結構的不對稱而引起的放電過程的差異,負電壓內電極可向放電管中饋入更多的能量;比較發光光譜可判斷生成準分子的等離子體化學過程沒有明顯的差別.
作 者： 徐金洲 梁榮慶 任兆杏 程黎放 童惠君 作者單位： 徐金洲,梁榮慶,任兆杏(中國科學院等離子體物理研究所,合肥,230031)程黎放,童惠君(江蘇蘇凈集團凈化工程技術研究中心,蘇州,215008)
刊 名： 真空科學與技術學報 ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)： 2002 22(5) 分類號： O434.2 TM923.322 關鍵詞： 介質阻擋放電 微放電 準分子XeCl* 紫外燈 電源【電源對介質阻擋放電(DBD)激發準分子(XeCl*)輻射的影響】相關文章：
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