生長溫度對等離子體增強化學氣相沉積生長ZnO薄膜質量的影響

生長溫度對等離子體增強化學氣相沉積生長ZnO薄膜質量的影響

以Zn(C2H5)2和CO2為反應源,在低溫下用等離子體增強化學氣相沉積方法,在Si襯底上外延生長了高質量的ZnO薄膜.用X射線衍射譜和光致發光譜研究了襯底溫度對ZnO薄膜質量的影響.X射線衍射結果表明,在生長溫度為230℃時制備出了高質量(0002)擇優取向的ZnO薄膜,其半高寬為0.26°.光致發光譜顯示出強的紫外自由激子發射與微弱的與氧空位相關的深缺陷發光,表明獲得了接近化學配比的ZnO薄膜.

作 者： 支壯志 李炳生 劉益春 呂有明 申德振 張吉英 孔祥貴 范希武   作者單位： 支壯志(東北師范大學物理系,長春,130024)

李炳生,劉益春,呂有明,申德振,張吉英,孔祥貴,范希武(中國科學院激發態物理開放實驗室,中國科學院長春光學精密機械與物理研究所,長春,130021) 

刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(1)  分類號： O484.4 O441.6  關鍵詞： ZnO薄膜   等離子增強化學氣相沉積   二乙基鋅  

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