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120 keVH+離子注入C60薄膜中的輻照效應
研究高能離子與C60晶體相互作用,是認識高能離子與凝聚態物理相互作用的基本規律和開發應用C60分子材料的基礎,對實現C60分子摻雜以及這種材料開發應用都具有十分重要的意義.利用120 keVH+離子注入C60薄膜,系統研究不同注入劑量對C60薄膜結構的影響,用Raman散射技術分析了H+離子在C60薄膜中引起的輻照效應.分析結果表明,H+離子輻照會影響C60薄膜結構,使C60薄膜產生聚合和薄膜非晶碳化現象,上述現象產生與輻照注入離子的輻照劑量有關.在整個輻照過程中電子能損起主導作用,電子能損有明顯的退火效應,致使C60由晶態向非晶態轉變過程中,經歷了一個石墨化的中間過程,即晶態C60分子→石墨化→非晶碳這一過程.
作 者： 朱圣星 姚江宏 作者單位： 朱圣星(重慶三峽學院,電子工程系,重慶,404000)姚江宏(南開大學,物理科學院,南開,300071)
刊 名： 重慶大學學報(自然科學版) ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF CHONGQING UNIVERSITY(NATURAL SCIECNE EDITION) 年，卷(期)： 2002 25(7) 分類號： O483 關鍵詞： 輻照效應 C60薄膜 退火效應【120 keVH+離子注入C60薄膜中的輻照效應】相關文章：
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