一維光子晶體結構參數對禁帶帶隙的影響研究

一維光子晶體結構參數對禁帶帶隙的影響研究

采用平面波法(PWM)計算一維光子晶體的帶隙結構.分別就構造一維光子晶體結構的高低折射膜層的介電常數及填充比(高折射膜層的厚度與晶體周期長度的比值)對禁帶帶隙寬度的影響作出分析.通過最小二乘曲線和曲面擬合得到帶寬與介電常數或帶寬與填充比的函數關系圖,以確定最佳的禁帶帶寬,從而設計一維光子晶體的周期結構.對高低折射膜層為GaAs/空氣組成的一維光子晶體,介電常數比約為13/1,當填充比為0.16時,計算得禁帶帶寬為0.2564×2πc/Λ,禁帶的中心頻率為0.3478×2πc/Λ,與實驗數據吻合.

作 者： 劉兵 竺子民 LIU Bing ZHU Zi-min   作者單位： 華中科技大學,光電子科學與技術學院,湖北,武漢,430074  刊 名： 應用光學  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF APPLIED OPTICS  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O734.2 TN303-34  關鍵詞： 平面波法   光子禁帶   帶隙寬度   最小二乘曲線和曲面擬合  

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