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SiO2載體表面原位合成MCM-41的結構特征
以溶液硅源和表面硅源兩種合成路線在SiO2顆粒表面進行了MCM-41的原位合成,結果發現以兩種方式均可得到MCM-41的有序結構.溶液硅源原位合成MCM-41的長程結構較好,兩種硅源原位合成的MCM-41均能夠在脫除模板劑過程中保持其長程有序結構.表面硅源原位合成MCM-41的孔徑分布較窄,最可幾孔徑為3.81nm.本文還考察了OH/CTABr及SiO2/OH比對表面硅源原位合成MCM-41長程結構特征的影響.
作 者： 何靜 段雪 李成岳 朱月香 作者單位： 何靜,段雪,李成岳(北京化工大學可控化學反應科學與技術基礎教育部重點實驗室,北京,100029)朱月香(北京大學化學與分子工程學院,北京,100871)
刊 名： 無機化學學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY 年，卷(期)： 2002 18(2) 分類號： O613.72 關鍵詞： MCM-41 原位合成 SiO2載體表面【SiO2載體表面原位合成MCM-41的結構特征】相關文章：
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