二元高-k材料研究進(jìn)展及制備

二元高-k材料研究進(jìn)展及制備

隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展,需要一種高介質(zhì)材料來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的SiO2,介紹了有可能替代SiO2的幾種二元材料的研究現(xiàn)狀,主要包括Si3N4、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Y2O3、Gd2O3和CeO2幾種材料的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能,以及制備薄膜的幾種方法:蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積和離子束沉積.

作 者： 周劍平 柴春林 楊少延 劉志凱 張志成 陳諾夫 林蘭英   作者單位： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,半導(dǎo)體材料科學(xué)實(shí)驗(yàn)室,北京,100083  刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(5)  分類號： O48 TB79  關(guān)鍵詞： 高-k材料   蒸發(fā)法   CVD   IBD  

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