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KZnF3:Mn2+晶體光譜和EPR譜熱移動(dòng)的研究
1引言 對(duì)摻雜晶體,由于雜質(zhì)離子的大小及其所帶電荷與它所替代的基質(zhì)晶體離子不同,這些雜質(zhì)離子附近的局部結(jié)構(gòu)和局部性質(zhì)(如局部熱膨脹系數(shù)和局部壓縮率)就會(huì)與基質(zhì)晶體的數(shù)據(jù)不一樣[1~3].研究這些雜質(zhì)中心的局部結(jié)構(gòu)(或稱缺陷結(jié)構(gòu))和局部性質(zhì)對(duì)認(rèn)識(shí)雜質(zhì)與基質(zhì)晶體的相互作用,進(jìn)而認(rèn)識(shí)材料摻雜改性的微觀機(jī)制是有意義的.
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