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IDT推出為6G SAS/SATA優化的業界首款高性能中繼器/安森美半導體推出符合汽車標準的自保護低端MOSFET驅動IC
作 者： 作者單位： 刊 名： 電子與電腦 英文刊名： COMPOTECH CHINA 年，卷(期)： 2010 ""(1) 分類號： 關鍵詞：【IDT推出為6G SAS/SATA優化的業界首款高性能中繼器/安森美半導】相關文章：
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